Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF6216TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 2.2A
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 2,2 А
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2,5 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Высота 1.5мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 5мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 18 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 33 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 5
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 240 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 150 В
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 33 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1280 пФ при -25 В
Тип канала A, P
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 0.15
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 150В |
| Ток стока макс. | 2.2A |
| Сопротивление открытого канала | 240 мОм |
| Мощность макс. | 2.5Вт |
| Тип транзистора | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
| Заряд затвора | 49нКл |
| Входная емкость | 1280пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Вес брутто | 0.13 г. |
| Наименование | IRF6216TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 4000 шт |
| Корпус | SO-8 |
