Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF630, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9А 74Вт, 0.4 Ом
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.4 ом при 4.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 74
Крутизна характеристики, S 3.8
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2.5
ST Microelectronics
| Напряжение исток-сток макс. | 200В |
| Ток стока макс. | 9A |
| Сопротивление открытого канала | 400 мОм |
| Мощность макс. | 75Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 45нКл |
| Входная емкость | 700пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220 |
| Вес брутто | 2.72 г. |
| Наименование | IRF630 |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | Single N-Channel 200 V 0.4 Ohm 31 nC 75 W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
