Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF630NSPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.3 ом при 5.4a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 82
Крутизна характеристики, S 4.9
Корпус d2pak
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2.5
Полезная информация
* MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 200В |
| Ток стока макс. | 9.3A |
| Сопротивление открытого канала | 300 мОм |
| Мощность макс. | 82Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 35нКл |
| Входная емкость | 575пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто | 1.35 г. |
| Наименование | IRF630NSPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
