Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF630NSTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Maximum Operating Temperature +175 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 10.67mm
Transistor Configuration Single
Brand Infineon
Maximum Continuous Drain Current 9.3 A
Package Type D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation 82 W
Series HEXFET
Mounting Type Surface Mount
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 11.3mm
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Height 4.83mm
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Maximum Drain Source Resistance 300 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 200 V
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 35 nC @ 10 V
Transistor Material Si
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Forward Diode Voltage 1.3V
Вес, г 2.5
Полезная информация
* MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 200В |
| Ток стока макс. | 9.3A |
| Сопротивление открытого канала | 300 мОм |
| Мощность макс. | 82Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 35нКл |
| Входная емкость | 575пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто | 2.31 г. |
| Наименование | IRF630NSTRLPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2500 шт |
