Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF640NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт, 0.15 Ом
IRF640NPBF от компании International Rectifier является N-канальным силовым МОП-транзистором HEXFET 200В в корпусе TO-220AB. Данная особенность МОП-транзистора обеспечивает очень низкое сопротивление в активном состоянии, динамический dv/dt, быстрой процесс переключения и лавинные характеристики. Поэтому силовые МОП-транзисторы широко используются в устройствах для обеспечения высокой эффективности и надежности.
• Напряжение сток-исток (Vds) 200В
• Напряжение затвор-исток ±20В
• Сопротивление в активном состоянии 150мОм
• Рассеиваемая мощность Pd 150Вт при 25°C
• Непрерывный ток стока 18А при Vgs 10В и 25°C
• Диапазон рабочей температуры перехода от -55°C до 175°C
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.15 ом при 11a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Крутизна характеристики, S 6.8
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2.5
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 200В |
| Ток стока макс. | 18A |
| Сопротивление открытого канала | 150 мОм |
| Мощность макс. | 150Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 67нКл |
| Входная емкость | 1160пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220AB |
| Вес брутто | 2.72 г. |
| Наименование | IRF640NPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
