Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IRF640NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.15 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	150
Крутизна характеристики, S	6.8
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)
Вес, г	2.5