Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF640NSTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт
MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current, Id: 18A; Package/Case: D2-PAK; Power Dissipation, Pd: 150W; Continuous Drain Current - 100 Deg C: 13A; Drain Source On Resistance @ 10V: 150mohm
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.15 ом при 11a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Крутизна характеристики, S 6.8
Корпус d2pak
Вес, г 2.5
Полезная информация
* MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 200В |
| Ток стока макс. | 18A |
| Сопротивление открытого канала | 150 мОм |
| Мощность макс. | 150Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 67нКл |
| Входная емкость | 1160пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто | 2.3 г. |
| Наименование | IRF640NSTRLPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 800 шт |
