Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IRF640SPBF, MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 11А, 130Вт, D2PAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET
EU RoHS	Compliant with Exemption
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Product Category	Power MOSFET
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	200
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Continuous Drain Current (A)	18
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	180@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	70(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	70(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	1300@25V
Maximum Power Dissipation (mW)	3100
Typical Fall Time (ns)	36
Typical Rise Time (ns)	51
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	45
Typical Turn-On Delay Time (ns)	14
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Automotive	No
Pin Count	3
Supplier Package	D2PAK
Standard Package Name	TO-263
Military	No
Mounting	Surface Mount
Package Height	4.83(Max)
Package Length	10.41(Max)
Package Width	9.65(Max)
PCB changed	2
Tab	Tab
Id - непрерывный ток утечки	18 A
Pd - рассеивание мощности	130 W
Qg - заряд затвора	70 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	180 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	51 ns
Время спада	36 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	6.7 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	IRF
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	45 ns
Типичное время задержки при включении	14 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-263-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	18A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging	Cut Tape(CT)
Power Dissipation (Max)	3.1W(Ta), 130W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
Series	-
Supplier Device Package	TO-263(DВІPak)
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Maximum Continuous Drain Current	18 A
Maximum Drain Source Resistance	180 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	130 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	D2PAK(TO-263)
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	70 nC @ 10 V
Width	9.65mm
Крутизна характеристики S,А/В	6.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	180
Температура, С	-55…+150