Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Главная
Транзисторы
Полевые транзисторы
Сборки MOSFET транзисторов

IRF7301TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

IRF7301TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А

The IRF7301TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. • Generation V technology • Ultra low ON-resistance • Surface-mount device • Dynamic dV/dt rating • Fast switching performance Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный ток стока 5,2 А Тип корпуса SOIC Максимальное рассеяние мощности 2 Вт Тип монтажа Поверхностный монтаж Ширина 4мм Высота 1.5мм Размеры 5 x 4 x 1.5мм Материал транзистора Кремний Количество элементов на ИС 2 Длина 5мм Transistor Configuration Изолированный Типичное время задержки включения 9 нс Производитель Infineon Типичное время задержки выключения 32 нс Серия HEXFET Минимальная рабочая температура -55 °C Maximum Gate Threshold Voltage 0.7V Minimum Gate Threshold Voltage 0.7V Максимальное сопротивление сток-исток 70 мОм Максимальное напряжение сток-исток 20 V Число контактов 8 Категория Мощный МОП-транзистор Типичный заряд затвора при Vgs 20 нКл при 4,5 В Номер канала Поднятие Типичная входная емкость при Vds 660 pF @ 15 V Тип канала N Максимальное напряжение затвор-исток -12 V, +12 V Вес, г 0.15 Полезная информация * MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА Infineon Technologies

Тип транзистора	2N-канальный
Особенности	Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток	20 В
Маскимальный ток стока	5.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность	2 Вт
Корпус	SOIC8
Вес брутто	0.23 г.
Наименование	IRF7301TRPBF
Производитель	Infineon Technologies
Описание Eng	MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Тип упаковки	Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка	4000 шт