Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8]](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8]
Описание Транзистор полевой IRF7301TRPBF производства INFINEON – это высококачественный компонент для современной электроники. Монтаж данной модели осуществляется с использованием SMD-технологии, что обеспечивает удобство в интеграции на печатные платы. Ток стока достигает 5,2 А, что подходит для широкого спектра применений. Напряжение сток-исток составляет 20 В, а мощность — 2 Вт, обеспечивая надёжность в работе устройства. Тип N-MOSFET указывает на использование N-канального металло-оксидного полупроводника, что является стандартом для компонентов подобного класса. Корпус SO8 идеально подходит для компактных схем. При выборе компонента стоит учитывать, что IRF7301TRPBF отличается высокой производительностью и долговечностью. Приобретая этот транзистор, вы получаете надёжный элемент для вашей электронной аппаратуры. Код для поиска на сайте: IRF7301TRPBF. Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
N-MOSFET
Монтаж
SMD
Ток стока, А
5.2
Напряжение сток-исток, В
20
Мощность, Вт
2
Корпус
SO8
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 5.2 |
Напряжение сток-исток, В | 20 |
Мощность, Вт | 2 |
Корпус | SO8 |
Структура | 2N-канала |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.2 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.04 Ом/2.6А, 4.5В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
Крутизна характеристики, S | 8.3 |
Корпус | SOIC-8 |
Пороговое напряжение на затворе | 0.7 |
Вес, г | 0.15 |