Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF7303TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.3 А
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 4.9 A
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Высота 1.5мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 2
Длина 5мм
Transistor Configuration Изолированный
Типичное время задержки включения 6.8 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 22 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 1V
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 80 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 25 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 520 pF @ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 0.15
Полезная информация
* MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Infineon Technologies
| Тип транзистора | 2N-канальный |
| Особенности | стандартный |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 В |
| Маскимальный ток стока | 4.9 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 Вт |
| Вес брутто | 0.2 г. |
| Наименование | IRF7303TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 4000 шт |
| Корпус | SO-8 |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
