Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF7307TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 5.2 А/-4.3 А, 2 Вт, 0.05 Ом/0.09 Ом
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.2 А
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 4,7 А, 5,7 А
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Высота 1.5мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 2
Длина 5мм
Transistor Configuration Изолированный
Типичное время задержки включения 8.4 ns, 9 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 32 ns, 51 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 0.7V
Minimum Gate Threshold Voltage 0.7V
Максимальное сопротивление сток-исток 70 мОм, 140 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 20 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 20 nC @ 4.5 V, 22 nC @ 4.5 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 610 пФ при 15 В, 660 пФ при 15 В
Тип канала N, P
Максимальное напряжение затвор-исток -12 V, +12 V
Вес, г 0.15
Полезная информация
* MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Infineon Technologies
| Тип транзистора | N/P-канальный |
| Особенности | Логическое управление |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 В |
| Маскимальный ток стока | 5.2 А, 4.3 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 Вт |
| Вес брутто | 0.35 г. |
| Наименование | IRF7307TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N/P-CH Si 20V 5.7A/4.7A 8-Pin SOIC T/R |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 4000 шт |
| Корпус | SO-8 |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
