Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF7311TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 6.6 А
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 23 мОм
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.029 ом при 6a, 4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 20
Корпус so8
Вес, г 0.15
Полезная информация
* MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Infineon Technologies
| Тип транзистора | 2N-канальный |
| Особенности | Логическое управление |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 В |
| Маскимальный ток стока | 6.6 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 Вт |
| Вес брутто | 0.25 г. |
| Наименование | IRF7311TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 4000 шт |
| Корпус | SO-8 |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
