Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
IRF7314TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, P-канальный, 20 В, 5.3 А, 2 Вт, 0.058 Ом
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 58 мОм
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 5,3 А
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Высота 1.5мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 2
Длина 5мм
Transistor Configuration Изолированный
Типичное время задержки включения 15 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 42 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 0.7V
Minimum Gate Threshold Voltage 0.7V
Максимальное сопротивление сток-исток 98 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 20 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 19 nC @ 4.5 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 780 pF @ -15 V
Тип канала A, P
Максимальное напряжение затвор-исток -12 V, +12 V
Вес, г 0.15
Полезная информация
* MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Infineon Technologies
Тип транзистора | 2P-канальный |
Особенности | Логическое управление |
Максимальное напряжение сток-исток | 20 В |
Маскимальный ток стока | 5.3 А |
Максимальная рассеиваемая мощность | 2 Вт |
Корпус | SOIC8 |
Вес брутто | 0.73 г. |
Наименование | IRF7314TRPBF |
Производитель | Infineon Technologies |
Описание Eng | MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R |
Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
Нормоупаковка | 4000 шт |