Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
IRF7316TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 4.9 A
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Высота 1.5мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 2
Длина 5мм
Transistor Configuration Изолированный
Типичное время задержки включения 13 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 34 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 1V
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 98 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 23 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 710 pF @ 25 V
Тип канала A, P, WRU
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 0.15
Полезная информация
* MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Infineon Technologies
Тип транзистора | 2P-канальный |
Особенности | Логическое управление |
Максимальное напряжение сток-исток | 30 В |
Маскимальный ток стока | 4.9 А |
Максимальная рассеиваемая мощность | 2 Вт |
Вес брутто | 0.22 г. |
Наименование | IRF7316TRPBF |
Производитель | Infineon Technologies |
Описание Eng | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC |
Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
Нормоупаковка | 4000 шт |
Корпус | SO-8 |