Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IRF7317TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 20B 6.6А/5.3A [SOIC-8]

Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium.

Структура	N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	6.6/5.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.029 Ом/6А, 4.5В/0.058 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	20/5.9
Корпус	SOIC-8
Вес, г	0.15