Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
IRF7319PBF, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 2 Вт
Характеристики
Структура n/p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30/-30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.5/-4.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 29/50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 7.7
Корпус so8
Пороговое напряжение на затворе 1/-1
Полезная информация
* MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Infineon Technologies
Тип транзистора | N/P-канальный |
Особенности | стандартный |
Максимальное напряжение сток-исток | 30 В |
Максимальная рассеиваемая мощность | 2 Вт |
Вес брутто | 0.2 г. |
Наименование | IRF7319PBF |
Производитель | Infineon Technologies |
Описание Eng | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC |
Тип упаковки | Tube (туба) |
Нормоупаковка | 95 шт |
Корпус | SO-8 |