Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF7329TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 9.2A 8-Pin SOIC лента на катушке
MOSFET, DUAL P CH, -12V, -9.2A, SOIC-8
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 12 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 17 мОм
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 9,2 A
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Высота 1.5мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 2
Длина 5мм
Transistor Configuration Изолированный
Типичное время задержки включения 10 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 340 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage 0.4V
Максимальное сопротивление сток-исток 30 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 12 В перем. тока/пост. тока
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 38 nC @ 4.5 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 3450 пФ при -10 В
Тип канала A, P
Максимальное напряжение затвор-исток -8 В, +8 В
Вес, г 0.15
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 12В |
| Ток стока макс. | 9.2A |
| Тип транзистора | P-канал |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Вес брутто | 0.18 г. |
| Наименование | IRF7329TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 4000 шт |
| Корпус | SO-8 |
