Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF7341PBF, Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт, 0.05 Ом
Характеристики
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 7.9
Корпус so8
Пороговое напряжение на затворе 1
Полезная информация
* MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Infineon Technologies
| Тип транзистора | 2N-канальный |
| Особенности | Логическое управление |
| Максимальное напряжение сток-исток | 55 В |
| Маскимальный ток стока | 4.7 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 Вт |
| Вес брутто | 0.16 г. |
| Наименование | IRF7341PBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 95 шт |
| Корпус | SO-8 |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
