Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF7341TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 43 мОм
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.05 ом при 4.7a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 7.9
Корпус so8
Вес, г 0.15
Полезная информация
* MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Infineon Technologies
| Тип транзистора | 2N-канальный |
| Особенности | Логическое управление |
| Максимальное напряжение сток-исток | 55 В |
| Маскимальный ток стока | 4.7 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 Вт |
| Корпус | SOIC8 |
| Вес брутто | 0.23 г. |
| Наименование | IRF7341TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC, 2W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 4000 шт |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
