Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF7351PBF, Сборка из полевых транзисторов, 60 В, N-канальный, 2 Вт
Характеристики
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 17.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 18
Корпус so8
Особенности полевая сборка
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Infineon Technologies
| Тип транзистора | 2N-канальный |
| Особенности | Логическое управление |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Маскимальный ток стока | 8 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 Вт |
| Вес брутто | 0.15 г. |
| Наименование | IRF7351PBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET 60V Dual N-Channel HEXFET, 2W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 95 шт |
| Корпус | SO-8 |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
