Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF7351TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 8 А
Dual N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N-channel configuration.
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0178 ом при 8a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 18
Корпус so8
Вес, г 0.15
Infineon Technologies
| Тип транзистора | 2N-канальный |
| Особенности | Логическое управление |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Маскимальный ток стока | 8 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 Вт |
| Корпус | SOIC8 |
| Вес брутто | 0.14 г. |
| Наименование | IRF7351TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 4000 шт |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
