Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF7389TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 42 мОм
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 5,3 А, 7,3 А
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2,5 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Высота 1.5мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 2
Длина 5мм
Transistor Configuration Изолированный
Типичное время задержки включения 8.1 ns, 13 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 26 ns, 34 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 1V
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 46 mΩ, 98 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 22 nC @ 10 V, 23 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 650 pF@ 25 V, 710 pF@ -25 V
Тип канала N, P
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 0.15
Полезная информация
* MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Infineon Technologies
| Тип транзистора | N/P-канальный |
| Особенности | Логическое управление |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2.5 Вт |
| Корпус | SOIC8 |
| Вес брутто | 0.15 г. |
| Наименование | IRF7389TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 4000 шт |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
