Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF7404TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.7A
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 6,7 А
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2,5 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Высота 1.5мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 5мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 14 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 100 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 0.7V
Minimum Gate Threshold Voltage 0.7V
Максимальное сопротивление сток-исток 60 МОм
Максимальное напряжение сток-исток 20 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 50 nC @ 4.5 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1500 pF @ -15 V
Тип канала A, P
Максимальное напряжение затвор-исток -12 V, +12 V
Вес, г 0.15
Полезная информация
* MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 20В |
| Ток стока макс. | 6.7A |
| Сопротивление открытого канала | 40 мОм |
| Мощность макс. | 2.5Вт |
| Тип транзистора | P-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 700mВ |
| Заряд затвора | 50нКл |
| Входная емкость | 1500пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Вес брутто | 0.26 г. |
| Наименование | IRF7404TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 4000 шт |
| Корпус | SO-8 |
