Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
IRF7410TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 16A
P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 16 A
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2,5 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Высота 1.5мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 5мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 13 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 271 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage 0.4V
Максимальное сопротивление сток-исток 13 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 12 В
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 91 нКл при 4,5 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 8676 pF @ -10 V
Тип канала P
Максимальное напряжение затвор-исток -8 В, +8 В
Вес, г 0.15
Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс. | 12В |
Ток стока макс. | 16A |
Сопротивление открытого канала | 7 мОм |
Мощность макс. | 2.5Вт |
Тип транзистора | P-канал |
Особенности | Logic Level Gate |
Пороговое напряжение включения макс. | 900mВ |
Заряд затвора | 91нКл |
Входная емкость | 8676пФ |
Тип монтажа | Surface Mount |
Корпус | SOIC8 |
Вес брутто | 0.25 г. |
Наименование | IRF7410TRPBF |
Производитель | Infineon Technologies |
Описание Eng | MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC |
Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
Нормоупаковка | 4000 шт |