Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF7413TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13 А, Сопротивление открытого канала (мин) 11 мОм
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 13 A
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2,5 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Высота 1.5мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 5мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 8,6 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 52 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 3V
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 18 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 52 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1800 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 0.15
Полезная информация
* MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 30В |
| Ток стока макс. | 13A |
| Сопротивление открытого канала | 11 мОм |
| Мощность макс. | 2.5Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 3В |
| Заряд затвора | 79нКл |
| Входная емкость | 1800пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | SOIC8 |
| Вес брутто | 0.23 г. |
| Наименование | IRF7413TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 4000 шт |
