Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

IRF7493TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 9.2А [SOIC-8]

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	9.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.015 Ом/5.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Крутизна характеристики, S	13
Корпус	SOIC-8
Вес, г	0.15