Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF7495PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.3А 2.5Вт
MOSFET, N, SO-8 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 7.3A Resistance, Rds On 0.022ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style SOIC Termination Type SMD Current, Idm Pulse 58A Pin Configuration (1+2+3)S, 4G, (8+7+6+5)D Power, Pd 2.5W Time, Fall 36ns Time, Rise 13ns Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 100V Voltage, Vgs Max 20V
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 22 мОм
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.022 ом при 4.4a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 11
Корпус so8
Пороговое напряжение на затворе 4
Вес, г 0.15
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 100В |
| Ток стока макс. | 7.3A |
| Сопротивление открытого канала | 22 мОм |
| Мощность макс. | 2.5Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 51нКл |
| Входная емкость | 1530пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Вес брутто | 0.2 г. |
| Наименование | IRF7495PBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC Tube |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 95 шт |
| Корпус | SO-8 |
