Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF7853PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3А 2.5Вт
Характеристики
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 18
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 11
Корпус so8
Пороговое напряжение на затворе 3…4.9
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 100В |
| Ток стока макс. | 8.3A |
| Сопротивление открытого канала | 18 мОм |
| Мощность макс. | 2.5Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4.9В |
| Заряд затвора | 39нКл |
| Входная емкость | 1640пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Вес брутто | 0.2 г. |
| Наименование | IRF7853PBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 95 шт |
| Корпус | SO-8 |
