Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IRF7853TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 8.3А [SO-8]
Цена по запросу

IRF7853TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 8.3А [SO-8]

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 8,3А, 2,5Вт, SO8
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.018 Ом/8.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 11
Корпус SOIC-8
Вес, г 0.17

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных