Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF7854TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 10A 8-Pin SOIC лента на катушке
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 10 A
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2,5 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость 12s
Высота 1.5мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Количество элементов на ИС 1
Длина 5
Типичное время задержки включения 9.4 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 15 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4.9V
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 13,4 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 80 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 27 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1620 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Прямое напряжение диода 1.3V
Вес, г 0.15
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 80В |
| Ток стока макс. | 10A |
| Сопротивление открытого канала | 13.4 мОм |
| Мощность макс. | 2.5Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4.9В |
| Заряд затвора | 41нКл |
| Входная емкость | 1620пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Наименование | IRF7854TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R |
| Нормоупаковка | 1 шт |
| Корпус | SO-8 |
