Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF7905TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.8 А/8.9 А
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 7,8 А, 8,9 А
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость 15с
Высота 1.5мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Количество элементов на ИС 2
Длина 5
Типичное время задержки включения 5,2 нс, 6,2 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 6,9 нс, 8,1 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 2.25V
Minimum Gate Threshold Voltage 1.35
Максимальное сопротивление сток-исток 21,3 мОм, 29,3 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 4,6 нКл при 4,5 В, 6,9 нКл при 4,5 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 600 пФ при 15 В, 910 пФ при 15 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Прямое напряжение диода 1V
Вес, г 0.15
Infineon Technologies
| Тип транзистора | 2N-канальный |
| Особенности | Логическое управление |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 В |
| Маскимальный ток стока | 7.8 А, 8.9 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 Вт |
| Вес брутто | 0.14 г. |
| Наименование | IRF7905TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 4000 шт |
| Корпус | SO-8 |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
