Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IRF7907TRPBF, Сборка двух N-канальных полевых транзисторов 30V 9.1A/11A 8-SOIC
Цена по запросу

IRF7907TRPBF, Сборка двух N-канальных полевых транзисторов 30V 9.1A/11A 8-SOIC

Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.1/11 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0164 ом при 9.1a, 10в/0.0118 ом при 11a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2 Крутизна характеристики, S 19/24 Корпус so8 Пороговое напряжение на затворе 1.35…2.25 Вес, г 0.15 Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс. 30В
Ток стока макс. 9.1A,11A
Сопротивление открытого канала 16.4 мОм @ 9.1А, 10В
Мощность макс. 2Вт
Тип транзистора N-канальный
Тип монтажа Surface Mount
Вес брутто 0.15 г.
Наименование IRF7907TRPBF
Производитель Infineon Technologies
Описание Eng MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC
Тип упаковки Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка 4000 шт
Корпус SO-8

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных