Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF8313PBF, Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 2W
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0155 ом при 9.7a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 23
Корпус so8
Пороговое напряжение на затворе 1.35…2.35
Вес, г 0.15
Infineon Technologies
| Тип транзистора | 2N-канальный |
| Особенности | Логическое управление |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 В |
| Маскимальный ток стока | 9.7 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 Вт |
| Вес брутто | 0.2 г. |
| Наименование | IRF8313PBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | 30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 95 шт |
| Корпус | SO-8 |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
