Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

IRF8313TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9.7A [SOIC-8]

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.

Структура	2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	9.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0155 Ом/9.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	23
Корпус	SOIC-8
Вес, г	0.15