Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF840ASPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 3.1Вт
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.85 ом при 4.8a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Крутизна характеристики, S 4
Корпус d2pak
Пороговое напряжение на затворе 4
Вес, г 2.5
Vishay
| Напряжение исток-сток макс. | 500В |
| Ток стока макс. | 8A |
| Сопротивление открытого канала | 850 мОм |
| Мощность макс. | 3.1Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 38нКл |
| Входная емкость | 1018пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто | 2.2 г. |
| Наименование | IRF840ASPBF |
| Производитель | Vishay |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
