Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IRF840SPBF

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В 8A 3,1Вт TO263 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET
Крутизна характеристики S,А/В	4.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	125
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	500
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	850
Структура	N-канал
Температура, С	-55…+150
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	8 A
Maximum Drain Source Resistance	850 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	3.1 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	63 nC @ 10 V
Width	9.65mm
Brand	Vishay Semiconductors
Factory Pack Quantity	1000
Manufacturer	Vishay
Packaging	Tube
Product Category	MOSFET
RoHS	Details
Technology	Si
Unit Weight	0.050717 oz