Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF8788TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 2.5Вт
N-Ch 30V 24A 2.5W 0.0028R SO8
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 24 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.8 мОм
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 24 А
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2,5 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость 95S
Высота 1.5мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Количество элементов на ИС 1
Длина 5
Типичное время задержки включения 23 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 23 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage 1.35
Максимальное сопротивление сток-исток 3,8 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 44 нКл при 4,5 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 5720 пФ при 15 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Прямое напряжение диода 1V
Вес, г 0.15
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 30В |
| Ток стока макс. | 24A |
| Сопротивление открытого канала | 2.8 мОм |
| Мощность макс. | 2.5Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2.35В |
| Заряд затвора | 66нКл |
| Входная емкость | 5720пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Вес брутто | 0.22 г. |
| Наименование | IRF8788TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 4000 шт |
| Корпус | SO-8 |
