Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF9362TRPBF, MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 21 мОм
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 8 A
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость 12s
Высота 1.5мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Количество элементов на ИС 2
Длина 5
Типичное время задержки включения 5,2 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 115 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage 1.3V
Максимальное сопротивление сток-исток 32 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 26 nC @ 15 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1300 pF @ -25 V
Тип канала A, P
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Прямое напряжение диода 1.2V
Вес, г 0.15
Infineon Technologies
| Тип транзистора | 2xP-channel |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30V |
| Маскимальный ток стока | 8A |
| Вес брутто | 0.25 г. |
| Наименование | IRF9362TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET, DUAL P-CH, -30V, -8A, SOIC-8 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 4000 шт |
| Корпус | SO-8 |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
