Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF9393TRPBF, Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -7,3А, 1,6Вт, SO8 Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
MOSFET
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
| Continuous Drain Current (Id) | 9.2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 19.4mΩ@10V, 9.2A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.4V@25uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.11nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 38nC@10V |
| Type | P Channel |
| Case | SO8 |
| Drain current | -7.3A |
| Drain-source voltage | -30V |
| Gate charge | 25nC |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 19.4mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1.6W |
| Technology | HEXFET® |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.2 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | SO-8 |
| Series | HEXFET |
Похожие товары
Цена по запросу
