Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRF9630PBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.8А 74Вт, 0.8 Ом
The IRF9630PBF is a -200V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, third generation HEXFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Easy to parallel
• Simple drive requirements
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -6.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.8 ом при-3.9a, -10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 75
Крутизна характеристики, S 2.2
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе -4
Вес, г 2.5
Vishay
| Напряжение исток-сток макс. | 200В |
| Ток стока макс. | 6.5A |
| Сопротивление открытого канала | 800 мОм |
| Мощность макс. | 74Вт |
| Тип транзистора | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 29нКл |
| Входная емкость | 700пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220AB |
| Вес брутто | 2.83 г. |
| Наименование | IRF9630PBF |
| Производитель | Vishay |
| Описание Eng | MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
