Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFB11N50APBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А 170Вт
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.52 ом при 6.6a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 170
Крутизна характеристики, S 6.1
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2.5
Vishay
| Напряжение исток-сток макс. | 500В |
| Ток стока макс. | 11A |
| Сопротивление открытого канала | 520 мОм |
| Мощность макс. | 170Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 52нКл |
| Входная емкость | 1423пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220 Isolated Tab |
| Вес брутто | 2.64 г. |
| Наименование | IRFB11N50APBF |
| Производитель | Vishay |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
