Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFB20N50KPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт
The IRFB20N50KPBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with low gate charge.
• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
• Simple drive requirements
• Low RDS (ON)
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.25 ом при 12a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 280
Крутизна характеристики, S 11
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 5
Вес, г 2.5
Vishay
| Напряжение исток-сток макс. | 500В |
| Ток стока макс. | 20A |
| Сопротивление открытого канала | 250 мОм |
| Мощность макс. | 280Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
| Заряд затвора | 110нКл |
| Входная емкость | 2870пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220AB |
| Вес брутто | 2.9 г. |
| Наименование | IRFB20N50KPBF |
| Производитель | Vishay |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220AB, 280W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
