Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFB23N15DPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 23А 136Вт
• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Fully characterized avalanche voltage and current
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 23 А
Тип корпуса TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности 136 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.69мм
Высота 19.3мм
Размеры 10.54 x 4.69 x 19.3мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.54мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 10 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 18 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 90 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 150 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 37 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1200 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V
Вес, г 2.5
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 150В |
| Ток стока макс. | 23A |
| Сопротивление открытого канала | 90 мОм |
| Мощность макс. | 3.8Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5.5В |
| Заряд затвора | 56нКл |
| Входная емкость | 1200пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220AB |
| Вес брутто | 2.7 г. |
| Наименование | IRFB23N15DPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
