Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFB31N20DPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A
MOSFET, N, 200V, 31A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 31A Resistance, Rds On 0.082ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 5.5V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 124A No. of Pins 3 Power Dissipation 200W Power, Pd 200W Thermal Resistance, Junction to Case A 0.75°C/W Voltage, Vds Max 200V Voltage, Vgs th Max 5.5V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 82 мОм
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.082 ом при 18a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 1.7
Корпус to220ab
Вес, г 2.5
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 200В |
| Ток стока макс. | 31A |
| Сопротивление открытого канала | 82 мОм |
| Мощность макс. | 3.1Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5.5В |
| Заряд затвора | 107нКл |
| Входная емкость | 2370пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220AB |
| Вес брутто | 2.73 г. |
| Наименование | IRFB31N20DPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
