Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFB4310ZPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 250Вт
The IRFB4310ZPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
• Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 127
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.007 ом при 75a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 250
Крутизна характеристики, S 150
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2.5
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 100В |
| Ток стока макс. | 120A |
| Сопротивление открытого канала | 6 мОм |
| Мощность макс. | 250Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 170нКл |
| Входная емкость | 6860пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220 |
| Вес брутто | 3.5 г. |
| Наименование | IRFB4310ZPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
