Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFB5620PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 25А 144Вт
The IRFB5620PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD and EMI. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction temperature and repetitive avalanche capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device. It can deliver up to 300W per channel into 8R load in half-bridge configuration amplifier. It is suitable for full-bridge and push-pull application.
• Low RDS (ON) for improved efficiency
• Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency
• Low QRR for better THD and lower EMI
Структура n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0725 ом при 15a, 10в
Вес, г 2.5
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 200В |
| Ток стока макс. | 25A |
| Сопротивление открытого канала | 72.5 мОм |
| Мощность макс. | 144Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
| Заряд затвора | 38нКл |
| Входная емкость | 1710пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220AB |
| Вес брутто | 3.39 г. |
| Наименование | IRFB5620PBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
