Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IRFB9N60APBF, MOSFET 600V N-CH HEXFET

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 5,8А, 170Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET
Крутизна характеристики S,А/В	5.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	750
Температура, С	-55…+150
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	9.2 A
Maximum Drain Source Resistance	750 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	170 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	49 nC @ 10 V
Width	4.7mm