Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFB9N60APBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2А 170Вт
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.75 ом при 5.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 170
Крутизна характеристики, S 5.5
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 4
Вес, г 2.5
Vishay
| Напряжение исток-сток макс. | 600В |
| Ток стока макс. | 9.2A |
| Сопротивление открытого канала | 750 мОм |
| Мощность макс. | 170Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 49нКл |
| Входная емкость | 1400пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220AB |
| Вес брутто | 2.9 г. |
| Наименование | IRFB9N60APBF |
| Производитель | Vishay |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
