Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFB9N65APBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 167Вт
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.93 ом при 5.1a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 167
Крутизна характеристики, S 3.9
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 4
Вес, г 2.5
Vishay
| Напряжение исток-сток макс. | 650В |
| Ток стока макс. | 8.5A |
| Сопротивление открытого канала | 930 мОм |
| Мощность макс. | 167Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 48нКл |
| Входная емкость | 1417пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220AB |
| Вес брутто | 2.67 г. |
| Наименование | IRFB9N65APBF |
| Производитель | Vishay |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB, 167W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
